HexSeed Technology, una startup de captura y utilización de carbono (CCU) que transforma el CO₂ capturado en supermateriales de alto valor, ha recaudado más de 700.000 euros (600.000 libras esterlinas) en financiación inicial.
La financiación estuvo liderada por Carbon13, con la participación del Net Zero Technology Center y Vento Ventures. La inversión acumulada también desbloquea una subvención de asociación de Innovate UK, otorgada de forma provisional a principios de este año.
“Los centros de datos están en camino de consumir una parte significativa de la capacidad de la red del Reino Unido dentro de la década, y una gran proporción de esa energía se pierde en forma de calor en la conversión de energía. Esta financiación nos permitirá llevar nuestra tecnología de recubrimiento de diamante de baja temperatura que estamos desarrollando desde la demostración de laboratorio hasta los dispositivos de GaN en funcionamiento”, afirmó Mark Tandy, director ejecutivo y cofundador de HexSeed.
HexSeed Technology fue fundada a finales de 2025 por Mark Tandy (CEO, MBA de Oxford), el Dr. Leonardo Santoni (CTO, doctorado en química de la UCL) y el Dr. Michael Glerum (COO, doctorado en ingeniería de Cambridge), y trabaja en estrecha colaboración con la Universidad de Bristol.
Está desarrollando una tecnología que podría reducir el desperdicio de energía en los centros de datos que alimentan la inteligencia artificial. Según la compañía, los centros de datos ya representan una parte significativa del consumo mundial de electricidad, y la AIE espera que esa cifra alcance los 945 TWh para 2030 a medida que las instalaciones optimizadas para IA crezcan. Una gran parte de esa energía se pierde en forma de calor.
La compañía señala que aunque los transistores de nitruro de galio convierten la energía de manera mucho más eficiente que los dispositivos de silicio que están reemplazando, se calientan y el calor es la principal barrera para que GaN alcance su máximo potencial.
Además, señala que el diamante es el conductor térmico más conocido, pero su cultivo convencional requiere temperaturas que destruirían un dispositivo semiconductor terminado.
En estrecha colaboración con los profesores de la Universidad de Bristol Paul May, experto en materiales de diamante, y Martin Kuball, especialista en dispositivos semiconductores y gestión del calor, HexSeed está desarrollando un proceso con bajas emisiones de carbono y baja temperatura que debería permitir que los recubrimientos de diamante se apliquen directamente a dispositivos completos de nitruro de galio (GaN) sin dañarlos.
“Junto con investigadores de la Universidad de Bristol, HexSeed está desarrollando un proceso de plasma de microondas a baja temperatura que hace crecer recubrimientos de diamante directamente sobre dispositivos GaN terminados, alejando el calor de las regiones activas para que funcionen más duro, duren más y usen menos energía”, explicó la startup.
La compañía planea utilizar este capital para demostrar el proceso de recubrimiento en dispositivos comerciales de energía de GaN y avanzar hacia compromisos piloto con los clientes, con el hardware de conversión de energía del centro de datos como mercado objetivo inicial.